Dioda tunnel pertama kali diperkenalkan oleh Leo Esaki
pada tahun 1958. Dioda ini memiliki karakteristik yang ditampilkan pada gambar
berikut ini. Dioda tunnel, atau juga dikenal dengan nama dioda Esaki mampu
merubah kondisinya diantara level arus puncak dan arus minimum secara cepat, “switching” diantara
kondisi low dan high lebih cepat daripada dioda Schottky.
Dioda
tunel di buat dengan doping material
semikonduktor yang akan membentuk p-n junction pada tingkat seratus sampai seribu
kali dari sebuah dioda semikonduktor biasa. Hal ini akan mengakibatkan dalam
penurunan secara besar pada depletion region, dari urutan jarak 10-6
cm, atau sekitar 1/100 lebar dari daerah untuk semikonduktor diode biasa.
(1) Simbol Dioda Tunnel (2) Dioda Tunnel
Tidak ada komentar:
Posting Komentar